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厂商型号

2SC5536A-TL-H 

产品描述

TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP

内部编号

277-2SC5536A-TL-H

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:8000
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:8000
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
最小起订金额:¥₩600
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#3

数量:8000
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

2SC5536A-TL-H产品详细规格

规格书 2SC5536A-TL-H datasheet 规格书
2SC5536A
2SC5536A-TL-H datasheet 规格书
标准包装 8,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 12V
频率转换 1.7GHz
噪声系数 (dB Typ @ f) 1.8dB @ 150MHz
增益 16dB
功率 - 最大 100mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 3mA, 2V
集电极电流(Ic)(最大) 50mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-81
供应商器件封装 3-SSFP
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
噪声系数(dB典型值@频率) 1.8dB @ 150MHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 1.7GHz
标准包装 8,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 12V
供应商设备封装 3-SSFP
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 100mW
增益 16dB
封装/外壳 SC-81
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 3mA, 2V
发射极 - 基极电压VEBO 2 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 100 mW
直流集电极/增益hfe最小值 80 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 12 V
连续集电极电流 50 mA
RoHS RoHS Compliant
增益带宽产品fT 1.7 GHz
工厂包装数量 8000
系列 2SC5536A
直流电流增益hFE最大值 200
Pd - Power Dissipation 100 mW
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 20 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
品牌 ON Semiconductor

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